东芝电子器件及存储装置株式会社推出了TPH2R70AR5，这是一款采用公司革命性U-MOS11-H制造工艺构建的尖端100V N沟道功率MOSFET。这一创新半导体器件专为工业环境中的开关模式电源应用而设计，特别针对数据中心基础设施和电信基站设备。该产品在发布后立即可供出货。

革命性工艺技术提供卓越性能

新的U-MOS11-H工艺技术相比东芝上一代U-MOSX-H系列代表了重大进步，在关键性能指标方面实现了实质性改进。TPH2R70AR5在漏源导通电阻（RDS(ON)）和总栅极电荷（Qg）以及它们的组合折衷特性方面表现出显著提升。

与U-MOSX-H系列的现有TPH3R10AQM型号相比，新器件实现了约8%的RDS(ON)降低、令人印象深刻的37%的Qg减少，以及关键RDS(ON) × Qg折衷参数的42%大幅改进。这些提升直接转化为实际应用中传导和开关功率损耗的减少。

通过寿命控制创新实现先进的体二极管性能

该器件采用东芝专有的寿命控制技术，该技术使用离子束处理在半导体材料中有意引入受控缺陷。这种技术缩短了载流子寿命，从而提高了开关速度并改善了体二极管恢复特性。

这项技术的实施使反向恢复电荷（Qrr）显著改善38%，RDS(ON) × Qrr折衷特性提升43%。这些行业领先的特性显著降低功率损耗，同时减少尖峰电压产生，有助于提高工业电源设计的整体系统效率和功率密度。

全面的设计支持和行业标准兼容性

东芝将TPH2R70AR5封装在SOP Advance (N)外形中，确保与现有行业标准安装配置的出色兼容性。该器件尺寸为5.15×6.1mm，在25°C壳温下可处理高达190A的连续漏电流，最大沟道温度额定值为175°C。

为支持电路设计师，东芝提供全面的仿真工具，包括用于快速电路功能验证的G0 SPICE模型和精确再现瞬态开关特性的高精度G2 SPICE模型。这些工具使工程师能够高效优化设计并准确预测实际性能。

技术规格和关键特性

TPH2R70AR5提供出色的电气特性：

• 在VGS=10V和ID=50A时，最大漏源导通电阻为2.7mΩ
• 在标准工作条件下，总栅极电荷仅为52nC（典型值）
• IDR=50A时，反向恢复电荷仅为55nC（典型值）
• 在VDS=50V时，输入电容为4105pF
• 100V最大漏源电压额定值

战略市场定位和未来发展

这款最新的MOSFET产品强化了东芝在工业应用中推进功率转换效率的承诺。该器件专门针对服务于数据中心和通信网络等关键基础设施的高效率DC-DC转换器和开关模式电源。

东芝计划继续扩展其低损耗MOSFET解决方案产品组合，专注于能够实现更高效功率转换系统并有助于整体设备节能的技术。公司在先进半导体制造工艺方面的持续投资使其能够满足现代工业电源管理应用不断发展的需求。

TPH2R70AR5可通过东芝全球分销网络立即获得，并提供全面的技术支持和设计援助，帮助工程师将这一先进技术集成到下一代电源设计中。

行业集成和自动化解决方案

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